Operando electrical biasing TEM experiments of Ge-rich GST thin films with FIB sample preparation
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Physique [physics]| Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
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Article Dans Une Revue
Journal of Alloys and Compounds
Année : 2024
Martin HYTCH : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-04727916
Soumis le : mercredi 11 décembre 2024-11:23:26
Dernière modification le : vendredi 13 décembre 2024-03:07:19
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-04727916 , version 1
- DOI : 10.1016/j.jallcom.2024.175626
Citer
L. Zhang, Bumsu Park, Lucas Chapuis, Kilian Gruel, Robin Cours, et al.. Operando electrical biasing TEM experiments of Ge-rich GST thin films with FIB sample preparation. Journal of Alloys and Compounds, 2024, 1003, pp.175626. ⟨10.1016/j.jallcom.2024.175626⟩. ⟨hal-04727916⟩
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